東京エレクトロン(8035)【米半導体VBのSTTと「MRAM」の開発・製造で提携!】


東京エレクトロン  [8035] 東証1部 時価:18215円

東京エレクトロン(8035)は半導体製造装置の大手で世界シェアトップも製品を多数あり、海外売上高比率が8割を超えています。
ハイエンド化が進むスマホ向けや電装化進展による車載向け電子部品の出荷増、更にビッグデータ対応のデータセンター増設など世界的な半導体需要の拡大を背景に米国株式市場ではエヌビディアやザイリンクスなど半導体関連株が大きく買われており、フィラデルフィア半導体指数は2001年以降の最高値圏推移が続いています。
同社は次世代メモリーと言われる「MRAM(不揮発性磁性体メモリー)」を開発するため、米半導体ベンチャーのスピン・トランスファー・テクノロジーズ(STT)と提携したと発表しました。MRAMは磁気を利用した磁性体メモリーで、高速処理や消費電力に優れる。STTは開発を進めるため、東京エレクトロンの半導体製造装置を活用する。
 MRAMは2020年ごろに読み書きが高速でできる半導体メモリー「SRAM」と同等の性能を持つまで開発が進むとみられている。提携によりMRAMの商用化を前倒しする。
 STTはMRAMの製造技術を開発している。性能を高めるために必要なスピン注入技術に強みを持つ。東京エレクトロンの成膜装置と組み合わせ、MRAMを微細化する。従来に比べて最大40〜50%ほど小型化できる見込みだ。ロジックICなどへの利用が期待できるとみる。
 両社はすでに実証実験を進めており、スイッチングの高速化や書き換え寿命の改善を図る。東京エレクトロンはMRAM製造に成膜装置を提供することで、MRAM向け製造装置市場でシェア拡大を狙う。
 ▼MRAM(不揮発性磁性体メモリー) 記憶素子に磁性体を使った不揮発性のメモリーの一種。磁気の分極による抵抗値の変化を利用してデータを記憶する。揮発性の半導体メモリー「SRAM」のように高速のアクセス性能を持ちつつ、電源を切ってもデータを保持できる特徴がある。
 データ書き換えに特殊な電流を磁性材料に流して磁化方向を変化させるスピン注入磁化反転(STT)技術を使うMRAMをSTT―MRAMと呼ぶ。従来のMRAMより小型化しやすい。
2017/10/19 8:25